説明
ロータリーターゲットの製品仕様 – 半導体グレード
製品紹介
当社の超-高-純度「回転ターゲット」は、高度な半導体製造用に設計された円筒形のスパッタリング ターゲットです。 5N～6N（99.999%～99.9999%）の純金属-（Cu、Ta、Co、Ru を含む）-で構成されており、各ターゲットは拡散溶接によって精密に加工された銅バッキング チューブに接合されています-。この設計により、高電力 DC/RF マグネトロン スパッタリング下での熱安定性が確保され、7nm 以下のロジック ファブやメモリ ファブでの連続した中断のない成膜サイクルが可能になります。{11}}
利用効率: 平面目標（30～50%）の 2 倍以上となる 75～85% の材料使用量を達成-し、原材料の無駄と交換頻度を削減します
蒸着の均一性: 円筒面全体にわたる均一な浸食プロファイルにより、サブ 5nm の相互接続に重要な 300mm ウェーハ全体の厚さの変動が ±2% 保証されます。
Thermal Stability: Bond interface withstands >動作温度は300度。高出力 Cu スパッタリングでは MTBF が 550 kWh を超え、標準的な結合ターゲットより 80% 向上します-
純度および汚染管理: GB/T 5235 あたり O < 0.0020%、N < 0.005%、H < 0.0001%-2021; ICP-MS および不活性ガス溶融分析により認証済み
表面仕上げ: Ra < 0.2 μm;酸化物、介在物、または微小亀裂がないため、アーク放電や粒子の発生が防止されます。
相互接続層: 3nm GAA トランジスタのダマシン配線用の Cu および Ru の「ロータリーターゲット」
バリア層: ビア充填プロセスにおける原子層接着用の TaN および TiN 回転ターゲット-
高度なパッケージング: ファン{0}}ウェーハ-レベルのパッケージング (FOWLP) 用の CoW および NiPt ロータリー ターゲット
高密度メモリ-: 3D NAND スタック電極堆積用の Al および W 回転ターゲット
コスト削減: 寿命の延長とダウンタイムの削減により、ウェーハあたりの目標コストを 40 ～ 60% 削減
歩留まりの向上: 粒子-による欠陥を最小限に抑えます(<0.1/cm²) via ultra-clean processing and vacuum-sealed packaging
プロセスの互換性: 13.56 MHz RF および 10 ～ 20 kW DC 電力向けに設計。既存の PVD チャンバーとの互換性 (Applied Materials、Lam Research)
サプライチェーンの信頼性: 原材料 (JX 日本、マテリオン) から最終検査までの完全なトレーサビリティ。 ISO9001/14001認証取得
規格: ASTM B814-14、SEMI M11-12、GB/T 5235-2021
包装:-アルミニウムラミネートフィルムに乾燥剤を入れて真空密封-。窒素置換されたコンテナで発送されます-
認証: 各バッチには、ICP-MS、XRF、EBSD 粒子分析による COA が含まれています
「ロータリー ターゲット」は単なる消耗品ではなく、プロセスを可能にするものです。{0}利用率を最大化し、欠陥を最小限に抑え、安定した高電力動作を可能にすることで、サブ 3nm 半導体ノードへの移行を直接サポートします。-
「回転ターゲット」は、サブ-5nmの半導体製造において比類のない効率、純度、安定性を実現します。その設計は、大量生産における歩留まり、コスト、プロセスの継続性に対する業界の要求に直接対応します。
よくある質問
Q: 回転ターゲットの寿命予測を提供してもらえますか?
A: 「回転ターゲット」の寿命は固定値ではなく、材料、形状、プロセスパラメータの「計算可能な関数」です。初期壁が 5 mm の場合:
Tungsten targets can last over 25,000 kWh - equivalent to >15 kW で 100 日間連続 24 時間稼働
銅ターゲットは、寿命は短いものの、堆積速度が高く、ウェーハあたりの材料コストが低いため、コスト効率が高くなります。{0}{1}{1}
歩留まりが重要なファブの場合、寿命予測により事前の交換スケジュールを設定できるため、計画外のダウンタイムが最大 40% 削減されます。{0}
A: 回転ターゲットは、フラット パネル ディスプレイ (FPD) 業界における透明導電性フィルム (TCO) の主流の選択肢であり、すべての主要な技術ルートをカバーしています。
ITO targets: used for pixel electrodes in TFT-LCDs and anode layers in OLEDs, achieving a synergy of high transmittance (>85%) および低いシート抵抗 (<10 Ω/).
IGZO ターゲット: 高移動度酸化物半導体層に使用され、LTPO テクノロジーをサポートして、OLED パネルの低周波数リフレッシュ レートと低消費電力を実現します。-
ITTO および IZO ターゲット: HJT 太陽電池およびフレキシブルディスプレイに適用され、キャリア移動度および環境安定性が向上します。
スピニングターゲットは、高度な半導体プロセスにおける金属相互接続およびバリア層堆積用のコア材料であり、以下の用途に広く使用されています。
銅（Cu）ターゲット: 7nm 以下のロジック チップに低抵抗の相互接続層を堆積し、従来のアルミニウム相互接続を置き換え、信号伝送速度を向上させます。
チタン (Ti)、タンタル (Ta)、およびタングステン (W) ターゲット: 金属原子がシリコン基板に拡散するのを防ぐ拡散バリア層 (TiN や TaN など) として機能し、デバイスの電気的安定性を確保します。
高純度要件: ターゲット純度は 5N (99.999%) 以上に達する必要があり、ウェハーの短絡や漏れを避けるために不純物は ppb レベルに制御されます。
スピニング構造により、ターゲットの利用率が 75 ～ 85% に向上し、ウェーハあたりの材料コストが大幅に削減され、12 インチウェーハファブの標準構成となっています。
A: 金属回転ターゲットの製造プロセス
銅（Cu）、チタン（Ti）、モリブデン（Mo）、ニッケル（Ni）などの延性のある金属や合金に適用可能です。コアプロセスは塑性成形 + 溶接接合です。
原料精錬とインゴット鋳造
高純度金属（純度 99.95% 以上）は、真空誘導溶解または電子ビーム溶解を使用して不活性雰囲気中で溶解され、ガス状不純物（O、N、H）が除去されます。-<1 ppm).
このインゴットを電磁連続鋳造により粒度50～100μmに制御された均一な円柱状のビレットに成形します。
塑性加工
熱間圧延/冷間圧延: 鋳造欠陥を除去するために、インゴットは厚い板 (75 ～ 80 mm) に圧延されます。
再結晶アニーリング: 銅ターゲットは 450 ～ 550 度で 1 ～ 2 時間アニーリングされ、チタン ターゲットは 600 ～ 700 度でアニーリングされ、結晶粒の再配列が達成され、延性が向上します。
曲げと突合せ溶接: 板金をリング状に曲げ、真空電子ビーム溶接またはレーザー溶接を使用して両端を突合せ溶接して、継ぎ目のない管ブランクを形成します。{0}
バックプレートの接合: 高純度の銅またはステンレス鋼のチューブがバックプレートとして使用されます。{0}熱伝導と機械的固定は次の方法で実現されます。
拡散溶接：800度の真空環境で、ターゲット材とバックプレートが厚さのIMC（金属間化合物）層を形成します。<5 μm.
Indium-based Solder Bonding: Indium solder with a purity >99.9% and a pull strength >50 MPa が使用され、大きなサイズのターゲットに適しています。-
After bonding, X-ray inspection is required to ensure the absence of porosity and cracks, and a weld ratio >95%.
微細加工・検査：外径公差±0.05mm以下、内径とバックプレートのはめあいクリアランス<0.1 mm.
表面粗さRa0.8μm以下、回転振動振幅制御<0.1 mm through dynamic balance correction.
結合強度は、GB/T 39163-2020 規格に従って、粒径 50 μm 以下、密度 99% 以上でテストされました。
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